半导体测试系统

分立器件测试系统

JCTS-102S DC(静态特性)测试系统（1.2kV/20A）

是针对二极管，三极管，MOSFET的从小信号到大电流的高速静态特性测试系统。

　　　　　　　　
【JCTS-102S】

　
　　　
特点
  • 实现继电器1ms高速动作、测试时间的缩短
  • 1台PC可控制最大4台测试机同时测试
  • 配有生产履历备份复制功能
  • 使用Excel Like可简单编写、修改程序
  • 配有1mV微小电圧检出回路（选件）
　
规格 　　
  检出  施加 
高电压0.0000V～1.2000kV 0.000uA～50.00mA
小电流  000.00pA～999.99uA 0.000V～1.200kV
恒电压 00.000mV～40.000V 0.000uA～20.00A
电流 0.0000uA～20.000A 000.0mV～40.00V


JCTS-400 DC(静态特性)测试系统（2kV/100A）

JCTS-400 是针对二极管，三极管，MOSFET的大电流、高速静态特性测试系统。

【JCTS-400】

　
特点
  • 实现继电器3ms高速动作、测试时间的缩短
  • 1台PC可控制最大4台测试机同时测试
  • 配有生产履历备份复制功能
  • 使用Excel Like可简单编写、修改程序。
  • 配有1mV微小电圧检出回路（选件）
  • 过渡热阻测试系统(选件)
  • Contact保护电路（选件）
　
规格
  检出  施加 
高电压 00.000V～2.0000kV 0.000uA～50.00mA
小电流  000.00pA～999.99uA 0.000V～2.000kV
恒电压 00.000mV～80.000V 0.000uA～99.99A
电流 0.0000uA～99.999A 000.0mV～80.00V


ILT-1000　L负载测试系统（2000V/100A/200V）

ILT-1000是通过观察MOS-FET的L负载的TurnOff的波形，对设定的VGATE,　IH,　IL的Vsus保証区域，进行GO/NO判断的测试系统。

【ILT-1000】

　
特点
  • 可对Vsus，IDP，TG进行判定以及表示
  • 仅数ms即可完成测试（根据測定条件有所变化）
  • 2 STATION的测试可
  • Coil为专用固定线圈、在外观和测试上采取最适合的设置
  • 通过TG监视，可检测出装有测试程序指定以外的Coil
　
规格
项目 设定范围  分辨率 
drain electric current（ID） 0.5A～100.0A 0.1A
drain voltage（VD）  10.0V～200.0V 0.1V
gate forward voltage（VGS） 0.0V～30.0V 0.1V
gate reverse voltage（VGR） -0.0V～-30.0V 0.1V
area designated electric current （IH/IL） 0.2A～100.0A 0.1A
Vsus limit（V-GATE） 10V～2000V 1V


TRT-1000　过渡热阻测试系统（200V/50A）

ＴＲＴ-1000是针对MOS-FET ，三极管等的过渡热阻（θｊｃ）、利用PN Junction的正向电压随温度按比例変化的特性、通过测试ΔVF、与规定値比较，判断，分类的测试系统。

【TRT-1000】

　
特点
  • 因为电路上不用干璜继电器，缩短时间
  • 用HeadBox代替Front测试单元，实现在最合适的电路环境下测试
  • Contact测试，电流可任意设定，可显示接触电阻值
  • 测试中各端子的波形可用PC观察，波形观察容易
  • 根据自检功能可容易发现各Bias电路的故障
规格
项目 测试量程  分辨率  
VBE1/VSD1/VGE1/VCE1/VF1 0000mV～9999mV 1mV
drain voltage（VD）  10.0V～200.0V 0.1V
ΔVBE/ΔVSD/ΔVGE/ΔVCE/ΔVF 000.0mV～999.9mV 0.1mV
ΔVBE/ΔVSD/ΔVGE/ΔVCE/ΔVF 0000mV～9999mV 1mV
项目 测试量程  分辨率  
VCB/VDS 000.1V～200.0V 0.1V
IE/ID/IF 00.001A～50.000A 0.001A
IM 001mA～400mA 1mA
Power Time (PT) 100us～9.99s 3 digits least Bit
Delay Time (DT) 010us～999us 1us
Gate Limit (G-Limit) 1.0V～20.0V 0.1V
Lower Gate (LOW) 000.0mV～999.9mV 0.1mV
/Upper Gate (UP) 0000mV～9999mV 1mV
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